博微半导体浪涌测试系统BW-IFSM/ITSM

BW-IFSM/ITSM
 

二极管浪涌测试系统
 

BW-IFSM/ITSM可用于各类二极管（Diode）以及可控硅（SCR）的正向浪涌电流（IFSM）试验，包括三极管（Triode）、MOSFTE、IGBT等全控器件的内置二极管的浪涌测试。
二极管元件在实际使用中，除了能长期通过额定通态平均电流外，还应能承受一定倍数的浪涌过载电流而不致损坏，以便适应在各种应用中的要求。二极管浪涌过载电流如果超过其允许范围，轻者引起元件性能变坏（如伏安特性、通态峰值电压的变化）       

技术指标：

>  浪涌电流（IFSM/ITSM）调节范围：0.30～3.60kA

>  分辨率0.01kA，精度±3%±0.01kA

>  电流波形：正弦半波，底宽10ms

>  测试频率：单次

>  反向电压（VRRM）调节范围：0.20～2.00kV，分辨率0.01kV，精度±5％

>  反向电压测试频率：50Hz；

>  反漏电流（IRRM）测试范围；1.0～100.0mA，分辨率0.1mA，精度±5％±0.1mA

工作方式：

>  由触摸液晶屏设定浪涌电流大小、反向电压值及反向漏电流保护值

>  按测试按键后设备自动完成测试

外形尺寸：

>  600×800×1900×1（宽×深×高×并柜数，单位：mm）

系统说明：

>  上述设备配置输出及测试线,但不含测试用“夹具”。该“夹具”用于满足元件按照标准进行测试时所要求的温度和压力测试条件。

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