• 博微半导体光耦/晶振/压敏综合测试系统BW-4022C

    详细信息

     品牌:博微  型号:BW-4022C  加工定制:是  
     测量精度:16ADC/0.1%  功率:0.3 KW 频率:50 HZ 
     重量:25 kg 尺寸:深 660*宽 430*高 210 mm 电源:AC220V  

    BW-4022C

     

    半导体光耦/晶振/压敏综合测试系统

     

    BW-4022C半导体综合测试系统是针对于半导体器件开发专用测试的系统,经我公司产品升级与开发,目前亦可以对二极管、光电耦合器、压敏电阻、锂亚电池、晶振5种器件进行参数测试,性能、精度、测试范围均满足客户测试需求,可用于客户端来料检验、研发分析、 产品选型等重要检测设备之一。

    BW-4022C 半导体综合测试系统采用大规模 32 位 ARM&MCU 设计, PC 中文操作界面,程控软件基于 Lab VIEW 平台, 填充调用式菜单操作界面,测试界面简洁 灵活、人机界面友好。配合开尔文综合集成测试插座,根据不同器件更换测试座配合,系统可适配设置完成对二极管、光电耦合器、压敏电阻、锂亚电池、晶振5种元件的静态参数测试。

    该测试系统主要由测试主机和程控电脑及外部测试夹具三部分组成,并接受客户端MES系统进行测试指令:方案选取/开始/暂停/停止/数据上传等操作执行,并可将测试数据上传至MES系统由客户端处理。

    BW-4022C半导体综合测试系统可同时针对:

    【光耦】

    适用于〖三极管管型光耦/可控硅光耦/继电器光耦〗进行测试。

    【二极管】

    〖Diode /稳压Diode/ZD/SBC/TVS/整流桥堆〗进行测试。

    【压敏电阻】

    〖Kelvin /Vrrm /Vdrm /Irrm /Idrm /△Vr〗进行测试。

    【锂亚电池】

    〖Kelvin/电池空载电压(Vbt)/负载电压(Vbt_load )  /测试电流(0-10A 恒流 )/负载电压变化值(▲Vbt_load)/电池内阻(Vbt Res)  等进行测试。

    【晶振】

    〖震荡频率(Freq_osc )/谐振电阻(Ri)/频率精度(Freq_ppm)/测试频率范围(10kHz~10MHz)等测试。

    【其他测试功能可定制拓展】

    一、 设备规格与环境要求

    物理规格

    主机尺寸:深 660*宽 430*高 210(mm) 台式

    主机重量:<25kg

    产品色系:白色系

    工况环境

    主机功耗:<300W

    海拔高度:海拔不超过 1500m;

    环境要求:-20℃~60℃(储存)、5℃~50℃(工作);

    相对湿度: 20%RH~75%RH (无凝露,湿球温度计温度 45℃以下);

    大气压力:86Kpa~106Kpa;

    防护条件:无较大灰尘,腐蚀或性气体,导电粉尘等;

    供电要求

    电源配置:AC220V±10%、50Hz±1Hz;

    工作时间:连续;

    二、测试种类与技术指标

    1、光耦测试:

    输入(Input)相关参数

    · 正向电压

    · 符号:Vf

    · *小值:无

    · 典型值:1.2 V

    · MAX值:1.4 V

    · 单位:V

    · 测试条件:If=20mA

    · 反向电流

    · 符号:Ir

    · *小值:无

    · 典型值:无

    · MAX值:10 μA

    · 单位:μA

    · 测试条件:Vr=4V

    输出(Output)相关参数

    · 集电极暗电流

    · 符号:Iceo

    · *小值:无

    · 典型值:无

    · MAX值:100 nA

    · 单位:nA

    · 测试条件:Vce-20V,If=0

    · 集电极 - 发射极击穿电压

    · 符号:BVceo

    · *小值:80 V

    · 典型值:无

    · MAX值:无

    · 单位:V

    · 测试条件:Ic-0.1mA,If=0

    · 发射极 - 集电极击穿电压

    · 符号:BVeco

    · *小值:6 V

    · 典型值:无

    · MAX值:无

    · 单位:V

    · 测试条件:Ie-10μA,,If=0

    · 集电极电流

    · 符号:Ic

    · *小值:2.5 mA

    · 典型值:无

    · MAX值:30 mA

    · 单位:mA

    · 测试条件:If=5mA,Vce-5V

    · 电流传输比

    · 符号:CTR

    · *小值:50 %

    · 典型值:无

    · MAX值:600 %

    · 单位:%

    · 测试条件:If=5mA,Vce-5V

    传输特性)相关参数

    · 集电极 - 发射极饱和电压

    · 符号:Vce

    · *小值:无

    · 典型值:0.1 V

    · MAX值:0.2 V

    · 单位:V

    · 测试条件:If=20mA,Ic-1mA

    · 隔离电阻

    · 符号:Riso

    · *小值: Ω

    · 典型值: Ω

    · MAX值:无

    · 单位:Ω

    · 测试条件:DC500V, 40 - 60% R.H.

    (以上参数基于晶体管LTV-816-Cu series特性参数)

    · 三极管管型光耦

    可控硅光耦

    继电器光耦

    2、二极管类测试

    · 二极管类:二极管

    二极管类:稳压二极管

    二极管类:稳压二极管

    二极管类:三端肖特基二极管 SBD(SchottkyBarrierDiode)

    二极管类: 瞬态二极

    二极管类:整流桥堆

    二极管类:三相整流桥堆

    3、压敏电阻测试

    · Kelvin 、Vrrm 、 Vdrm 、Irrm 、Idrm  、 △Vr ;(参数配置精度与二极管一致)

    4、锂亚电池测试

     

    · Kelvin(0~150mV)

    · 电池空载电压(Vbt)  0-100V  +-0.2%

    · 负载电压(Vbt_load )   0-100V  +-0.5%  测试电流(0-10A 恒流 )

    · 负载电压变化值(▲Vbt_load)0-10v +-5% 测试电流(0-10A 恒流 )

    · 电池内阻(Vbt Res)  0-10v +-5%  测试电流(0-10A 脉冲 )

    5、晶振测试

    · 震荡频率(Freq_osc )

    · 谐振电阻(Ri)

    · 频率精度(Freq_ppm)

    · 测试频率范围(10kHz~10MHz)

    测试参数

    符号

    量程

    测试范围

    测试条件

    测量精度

    震荡频率

    Fosc

    10kHz~100kHz

    100kHz~1MHz

    1MHz~5MHz

    5MHz~10MHz

    10kHz~10MHz

     

    0.1Hz

    谐振电阻

    Rz

    0~100K

       

    ±10%

    频率精度

    ppm

     

    0-1000

     

    0.01%

     





    三、参数配置与性能指标

        产品详细资料请询问厂家索取
  • 留言

    *详细需求:
    *手  机:
    联 系 人:
    电    话:
    E-mail:
    公  司:
    谷瀑服务条款》《隐私政策
  • 供应商的其他相关信息

    查看更多
陕西博微电通科技有限责任公司 地址: 西咸新区沣东新城凤栖路鑫森源产业园
内容声明:谷瀑为第三方平台及互联网信息服务提供者,谷瀑(含网站、客户端等)所展示的商品/服务的标题、价格、详情等信息内容系由店铺经营者发布,其真实性、准确性和合法性均由店铺经营者负责。谷瀑提醒您购买商品/服务前注意谨慎核实,如您对商品/服务的标题、价格、详情等任何信息有任何疑问的,请在购买前通过谷瀑与店铺经营者沟通确认;谷瀑上存在海量店铺,如您发现店铺内有任何违法/侵权信息,请在谷瀑首页底栏投诉通道进行投诉。